快科技12月29日消息，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)低調(diào)推出DDR5內(nèi)存以來，更多內(nèi)幕被挖掘出來，好消息也是接連不斷，甚至第二代HBM2高帶寬內(nèi)存也有了重大突破。

據(jù)花旗銀行的分析報(bào)告，長(zhǎng)鑫當(dāng)初在DDR4上的初期良品率只有20-30％，成熟后達(dá)到了90％。

得益于DDR4上的豐富經(jīng)驗(yàn)，長(zhǎng)鑫DDR5從一開始的良品率就有40％，目前穩(wěn)定在80％左右，而且還在繼續(xù)改進(jìn)，預(yù)計(jì)到明年底可以提升到90％左右。

長(zhǎng)鑫目前在合肥有兩座內(nèi)存工廠，F(xiàn)ab 1主要生產(chǎn)DDR4，使用的是19nm工藝，每月產(chǎn)能約10萬塊晶圓。

Fab 2專注于DDR5，用的是17nm工藝，當(dāng)前月產(chǎn)能大概5萬塊晶圓，還在持續(xù)提升中，預(yù)計(jì)到明年可翻一番。

當(dāng)然，三星、SK海力士等的DDR5內(nèi)存已經(jīng)升級(jí)到12nm工藝，所以長(zhǎng)鑫仍有很大的提升空間。

此外，長(zhǎng)鑫還在大力推進(jìn)HBM高帶寬內(nèi)存，一方面提升一代HBM的產(chǎn)能，另一方面二代HBM2已經(jīng)取得重大突破，正在給客戶送樣，預(yù)計(jì)明年年中可小規(guī)模量產(chǎn)。

雖然三大原廠已經(jīng)量產(chǎn)HBM3、HBM3E，并即將推出HBM4，但對(duì)于長(zhǎng)鑫來說，能搞定HBM2仍然是里程碑式的，對(duì)于國(guó)產(chǎn)化AI硬件的發(fā)展至關(guān)重要，比如華為昇騰910系列加速器就依賴于HBM2。

根據(jù)早先報(bào)道，長(zhǎng)鑫從今年第三季度就開始采購(gòu)HBM2生產(chǎn)設(shè)備，尤其是需要更先進(jìn)的封裝技術(shù)，涉及TSV、KGSD等等。

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